鋰電池保護(hù)板普遍不良的原因分析

　　一、無(wú)浮現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負(fù)荷

　　該類(lèi)欠佳主要清除鋰電芯欠佳（鋰電芯本來(lái)無(wú)工作電壓或工作電壓低），假定鋰電芯欠佳則應(yīng)檢測(cè)鋰電池保護(hù)板的自耗電量，看是不是鋰電池保護(hù)板自耗電量過(guò)大造成 鋰電芯工作電壓低。假定鋰電芯工作電壓一切正常，則是由于鋰電池保護(hù)板全部控制回路堵塞（電子器件空焊、假焊、FUSE欠佳、PCB板內(nèi)部電源電路堵塞、過(guò)孔堵塞、MOS、IC毀壞等）。

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　　深入分析全過(guò)程以下：

　　（一）、用數(shù)字萬(wàn)用表黑直流電流表接鋰電芯負(fù)級(jí)，紅直流電流表先后接FUSE、R1電阻器兩邊，IC的Vdd、Dout、Cout端，P+端（假設(shè)鋰電芯工作電壓為3.8V），逐段開(kāi)展剖析，此好多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)都應(yīng)是3.8V。要不是，則該段電源電路有什么問(wèn)題。

　　1、FUSE兩直流電壓有修改：檢測(cè)FUSE是不是通斷，若導(dǎo)公例是PCB板內(nèi)部電源電路堵塞；若不導(dǎo)公例FUSE有什么問(wèn)題（來(lái)料檢驗(yàn)報(bào)告欠佳、過(guò)電流毀壞（MOS或IC操縱無(wú)效）、材料有什么問(wèn)題（在MOS或IC姿勢(shì)以前FUSE被燒毀），隨后用輸電線接線FUSE，不斷往后面剖析。

　　2、R1電阻器兩直流電壓有修改：檢測(cè)R1阻值，若阻值紊亂，則也許是空焊，電阻器本身裂開(kāi)。若阻值無(wú)紊亂，則也許是IC內(nèi)部電阻器出現(xiàn)難題。

　　3、IC檢測(cè)直流電壓有修改：Vdd端與R1電阻器相接。Dout、Cout端紊亂，則是由于IC空焊或毀壞。

　　4、若前邊工作電壓都無(wú)修改，檢測(cè)B-到P+間的工作電壓紊亂，則是由于鋰電池保護(hù)板正級(jí)過(guò)孔堵塞。

　?。ǘ?、數(shù)字萬(wàn)用表紅直流電流表接鋰電芯正級(jí)，激話(huà)MOS管拔，黑直流電流表先后接MOS管2、3腳，6、7腳，P-端。

　　1.MOS管2、3腳，6、7腳工作電壓有修改，則標(biāo)出MOS管紊亂。

　　2.若MOS管工作電壓無(wú)修改，P-直流電壓紊亂，則是由于鋰電池保護(hù)板負(fù)級(jí)過(guò)孔堵塞。

　　二、短路故障無(wú)維護(hù)

　　1、VM端電阻器出現(xiàn)難題：能用數(shù)字萬(wàn)用表一直流電流表接IC2腳，一直流電流表接與VM端電阻器相接的MOS小編腳，承認(rèn)其阻值尺寸?？措娮杵髋cIC、MOS引腳是否空焊。

　　2、IC、MOS紊亂：由于虧電維護(hù)與過(guò)流、過(guò)流保護(hù)同用一個(gè)MOS管，若短路故障紊亂是由于MOS出現(xiàn)難題，則此板應(yīng)沒(méi)有放維護(hù)功能。

　　3、之上為一切正常狀況下的欠佳，也也許出現(xiàn)IC與MOS武器裝備欠佳造成的短路故障紊亂。如早期出現(xiàn)的BK-901，其型號(hào)規(guī)格為‘313D’的IC內(nèi)時(shí)間延遲太長(zhǎng)，造成 在IC做出相對(duì)姿勢(shì)操縱以前MOS或其他電子器件已被毀壞。注：期間承認(rèn)IC或MOS是不是發(fā)病紊亂最簡(jiǎn)單、立即的方式就是對(duì)有猜疑的電子器件開(kāi)展更換。

　　三、過(guò)流保護(hù)無(wú)自修復(fù)

　　1、整體規(guī)劃時(shí)常用IC本來(lái)沒(méi)有自修復(fù)功能，如G2J，G2Z等。

　　2、儀器設(shè)備設(shè)定短路故障修復(fù)時(shí)間過(guò)短，或短路故障檢測(cè)時(shí)未將負(fù)荷移走，如用數(shù)字萬(wàn)用表工作電壓檔開(kāi)展短路故障直流電流表接線后未將直流電流表從檢測(cè)端移走（數(shù)字萬(wàn)用表等同于一個(gè)幾兆的負(fù)荷）。

　　3、P+、P-間走電，如焊層中間存有帶殘?jiān)乃芍?，帶殘?jiān)狞S膠或P+、P-間電容器被穿透，ICVdd到Vss間被穿透。（電阻值僅有幾K到好幾百K）。

　　4、假定之上都沒(méi)什么問(wèn)題，也許IC被穿透，可檢測(cè)IC各引腳中間電阻值。

　　四、內(nèi)電阻大

　　1、由于MOS內(nèi)電阻相對(duì)性相對(duì)穩(wěn)定，出現(xiàn)內(nèi)電阻大狀況，主要猜疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這種內(nèi)電阻相對(duì)性非常簡(jiǎn)單發(fā)病修改的電子器件。

　　2、假定FUSE或PTC電阻值一切正常，則視維護(hù)板結(jié)構(gòu)檢驗(yàn)P+、P-焊層與電子器件面中間的焊盤(pán)電阻值，也許過(guò)孔出現(xiàn)微斷狀況，電阻值很大。

　　3、假定之上多沒(méi)有問(wèn)題，就需要猜疑MOS是不是出現(xiàn)紊亂：主要承認(rèn)電焊焊接有木有難題；次之管理看板的薄厚（是不是簡(jiǎn)易彎曲），由于彎曲時(shí)也許造成 引腳電焊焊接處紊亂；再將MOS管放進(jìn)顯微鏡下觀察是不是裂開(kāi)；終歸用數(shù)字萬(wàn)用表檢測(cè)MOS引腳電阻值，看是不是被穿透。

　　五、ID紊亂

　　1、ID電阻器本身由于空焊、裂開(kāi)或因電阻器材料不合格而出現(xiàn)紊亂：可從頭開(kāi)始電焊焊接電阻器兩邊，若重焊后ID一切正常則是電阻器空焊，若裂開(kāi)則電阻器會(huì)在重焊后從這當(dāng)中開(kāi)裂。

　　2、ID焊盤(pán)不通斷：能用數(shù)字萬(wàn)用表檢測(cè)過(guò)孔兩邊。

　　3、內(nèi)部路線出現(xiàn)難題：可涂刮阻焊漆看內(nèi)部電源電路是否斷掉、短路故障狀況。